Silicon Nitride Ceramic Substrate

Haec est introductio optimumSilicon Nitride Ceramic Substratesperans te melius intelligere. Exspectate clientes novos et veteres pergere ad cooperandum nobis ad melius futurum creandum! Pium nitride ceramico substrata species est substratae e nitride siliconis facta, magni momenti in materia ceramica. Haec subiecta in variis applicationibus electronicis et machinalis adhibita sunt, ubi proprietates quasi altae conductivitatis, roboris mechanicae et electricae insulae requiruntur.

Silicon nitrides ceramicae subiectae notae sunt propter excellentem firmitatem et resistentiam scelerisque inpulsae scelerisque, easque aptas ad usum faciens in ambitus temperaturas summus. Saepe adhibentur ut materias insulantes et sustentantes in machinationibus electronicis, modulorum potentiae semiconductoris, et aliarum applicationum ubi calor dissipationis efficientis pendet.

Hae subiectae variae figurae et magnitudinis veniunt ad diversas applicationes aptas et potest nativus ad specifica requisita occurrere. Eorum usus efficere potest ut augeatur productum fiduciae, melioris effectus, et longioris vitae spatium, ut ea bona componat in industriarum amplitudine.

Torbo® Silicon Nitride Ceramic Substrate

Item:Silicon nitride substrato

Materia: Si3N4

Color: Gray

Crassitudo: 0.25-1mm

Superficies processus: Duplex expolitum

Mole densitatis: 3.24g/㎤

Superficies asperitas Ra: 0.4μm

Vires tendentes: (modum 3-punctum): 600-1000Mpa

Modulus elasticitatis: 310Gpa

Fractura spissitudo (IF modus): 6.5 MPa･√m

Scelerisque conductivity: 25°C 15-85 W/(m･K)

Damnum dielectric factor:0.4

Volumen resistivity: 25°C >1014 Ω･㎝

Naufragii vires: DC >15㎸/㎜

Torbo® Silicon nitride tellus substratousus est in campis electronicis ut potentia semiconductoris moduli, inverters et converters, alias materias insulating reponens ad productionem output augendam et ad magnitudinem et pondus minuendum.

Earum vis altissimae etiam eas facit praecipuam materiam quae auget vitam et constantiam eorum quae in usu sunt.

Duplex dissipatio caloris trilinei in potestate pectoris (potestatis semiconductores) , potestas imperii unitates pro automobiles